Печать
Просмотров: 3598

JC, 06.04.2016 г., «Growth chemistry and interface properties of III/V-silicon semiconductors studied by DFT» by Andreas Stegmüller

Обновлено

Уважаемые коллеги,

06 апреля 2016 г., в 15:15, в ауд. 03 в рамках открытого научного магистерского семинара Journal Club будет представлен доклад:

Andreas Stegmüller,* Ralf Tonner
«Growth chemistry and interface properties of III/V-silicon semiconductors studied by DFT»

CV представляющего автора можно найти здесь, краткое содержание доклада можно найти здесь.

Новости СПбГУ